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BSC070N10NS3 G /MOSFET N-Ch 100V 90A TDSON-8 OptiMOS 3
BSC070N10NS3 G的规格信息
BSC070N10NS3 G的图片

图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:Infineon

产品种类:MOSFET

RoHS:是

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:TDSON-8

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:100 V

Id-连续漏极电流:90 A

Rds On-漏源导通电阻:6.3 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:2 V

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

Qg-栅极电荷:55 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:114 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商标名:OptiMOS

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

高度:1.27 mm

长度:5.9 mm

系列:OptiMOS 3

晶体管类型:1 N-Channel

宽度:5.15 mm

商标:Infineon Technologies

正向跨导 - 最小值:36 S

下降时间:8 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:10 ns

工厂包装数量:5000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:29 ns

典型接通延迟时间:15 ns

零件号别名:BSC070N10NS3GATMA1 BSC7N1NS3GXT SP000778082

单位重量:100 mg

供应商BSC070N10NS3 G
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现代芯城（深圳）科技有限公司BSC070N10NS3 Gwww.nowchip.com0755-27381274
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深圳市芯幂科技有限公司BSC070N10NS3 G深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
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”13725596657“17503034873		曾先生Email:1153689911@qq.com询价
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深圳市毅创腾电子科技有限公司BSC070N10NS3 G深圳市福田区华强北路现代之窗大厦B座18I室0755-83616256 / 83210909
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深圳市星宇佳科技有限公司BSC070N10NS3 G深圳市福田区华强北街道华航社区华富路1004号南光大厦5100755-82717977-603
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Digi-Key 得捷电子		BSC070N10NS3 GInfineonFET - 单 OptiMOS?? 分立半导体产品5000+:￥5.8401
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Mouser 贸泽电子		BSC070N10NS3 GInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 100V 90A TDSON-8 OptiMOS 31:¥12.0684
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100:¥7.91
500:¥7.0286
1,000:¥5.5483
5,000:¥5.5483
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